RIE- Reactive Ion Etching ist ein ionenunterstützter Reaktiv-Ätzprozess, welcher in der Halbleitertechnik angewandt wird. RIE ist wegen der guten Kontrollierbarkeit des Ätzverhaltens (Homogenität, Ätzrate, Ätzprofil, Selektivität) ein Verfahren zur Herstellung von topografischen Strukturen für die Micro- und Nano-System-Technologie. Das Verfahren lässt durch chemisch-physikalischen Abtrag sowohl eine isotrope (richtungsunabhängig) als auch eine anisotrope Ätzung zu. Das Ätzen erfolgt durch aufgeladene Teilchen (Ionen), die in einem Gasplasma erzeugt wurden. Eine entsprechende Maskierung der Oberfläche gibt die Formgebung der Strukturen. Bei reaktivem Ätzen wird die chemische Ätzreaktion erst durch die kinetische Energie der auftreffenden Ionen ausgelöst. Aus dem Gas-Ion und dem Schichtmolekül der Oberfläche entsteht das flüchtige Ätzprodukt, welches durch das Vakuumsystem entfernt wird.
RIE liefert auch bei sehr feinen Strukturen mit Abmessungen deutlich unterhalb 100 nm noch sehr gute Ergebnisse.
DRIE ist eine RIE-Modifikation für Silizium tiefenätzen mittels alternierenden Ätz- und Passivierungszyklen (Gas Chopping, Time-Multiplexed Etching, ASE - Advanced Silicon Etching) für höchste Aspektverhältnisse, Anisotropie und Ätzrate.
Selektivität, Anisotropie und Ätzrate sind durch “Prozess-Chemie“ (Gase) und Prozessparameter (RF-Leistung, Druck, Gasfluss, Substrat-Kühlung, usw. ) einstellbar. Die Anisotropie wird durch eine Seitenwand-passivierung erreicht.
RIE (DRIE) ALCATEL AMS 100 DSE “i-Speeder” ICP Trockenätzer
Dr. Stephan Kasemann
PVD - Beschichtung und Trockenätzen
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